Hướng dẫn sử dụng

Effect of Hf doping content on the structure, optical and electrical properties of flexible HfxZn1-xO thin films by sol-gel method

Loại tài liệu: Tài liệu số - Jounal article

Thông tin trách nhiệm: Qianwen Peng

Nhà Xuất Bản:

Năm Xuất Bản: 2020

Chia sẻ

Tải ứng dụng tại các liên kết sau để xem đầy đủ tài liệu.

Tóm tắt

Transparent and conducting HfxZn1-xO thin films with nominal Hf doping concentration (x = 0–7%) were successfully synthesized on flexible polyimide (PI) substrates by the sol-gel spin coating method. All films showedrnhexagonal wurtzite structure of ZnO with preferred orientation of c-axis after air and vacuum annealing. Thernminimum resistivity reached to as low as 6.3 × 10-2 Ω cm after annealed in vacuum atmosphere with 3% Hfrncontent. The carrier concentration increased from 1018 cm-3 to 1019 cm-3, while Hall mobility decreased from 23rncm2v-1s-1 to 3 cm2v-1s-1 with increasing Hf concentration. According to the SEM and XPS analysis, for x = 0–3%,rngrain boundary scattering was the major factor of mobility, while for x = 5–7%, besides the grain boundaryrnscattering, ionized impurity and natural scattering also play a crucial role in the variation of mobility. Thernminimum resistivity was due to the competition of increasing carrier concentration and decreasing mobility.

Ngôn ngữ:en
Thông tin trách nhiệm:Qianwen Peng
Thông tin nhan đề:Effect of Hf doping content on the structure, optical and electrical properties of flexible HfxZn1-xO thin films by sol-gel method
Loại hình:Jounal article
Bản quyền:© 2020 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Mô tả vật lý:9 p.
Năm Xuất Bản:2020

(Sử dụng ứng dụng VNU- LIC quét QRCode này để mượn tài liệu)

(Lưu ý: Sử dụng ứng dụng Bookworm để xem đầy đủ tài liệu. Bạn đọc có thể tải Bookworm từ App Store hoặc Google play với từ khóa "VNU LIC”)

  • Chủ đề
TÀI NGUYÊN KHÁC