Hướng dẫn sử dụng

Solution-processed inorganicp-channel transistors: Recent advances and perspectives

Loại tài liệu: Tài liệu số - Journal Article

Thông tin trách nhiệm: Ao Liu; Huihui Zhu; Yong-Young Noh

Nhà Xuất Bản: Elservier

Năm Xuất Bản: 2019

Chia sẻ

Tải ứng dụng tại các liên kết sau để xem đầy đủ tài liệu.

Tóm tắt

For decades, inorganic n-type metal-oxide semiconductors have attracted great interest across a wide range of applications due to their excellent electrical property, low cost, high optical transparency, and good ambient stability. The next attention has focused on the development of high-performance p-type semiconductors with comparable opto/electric properties to n-type counterparts. This paper provides a comprehensive overview of recent progress in solution-processed inorganic p-type semiconductors that can be applied as channel layers in thin-film transistors and complementary metal-oxide semiconductor-based integrated circuits. Wefirst introducernconventional p-type oxide semiconductors and review their achievements on related devices. Then, we pay a specific focus on emerging (pseudo)halide materials for realization of transparent, low-temperature and highperformance printable electronics and circuits.

Ngôn ngữ:en
Thông tin trách nhiệm:Ao Liu; Huihui Zhu; Yong-Young Noh
Thông tin nhan đề:Solution-processed inorganicp-channel transistors: Recent advances and perspectives
Nhà Xuất Bản:Elservier
Loại hình:Journal Article
Mô tả vật lý:85 p.
Năm Xuất Bản:2019

(Sử dụng ứng dụng VNU- LIC quét QRCode này để mượn tài liệu)

(Lưu ý: Sử dụng ứng dụng Bookworm để xem đầy đủ tài liệu. Bạn đọc có thể tải Bookworm từ App Store hoặc Google play với từ khóa "VNU LIC”)

  • Chủ đề
TÀI NGUYÊN KHÁC