Hướng dẫn sử dụng

Electronic structure of Cs adsorption on Al0.5Ga0.5N(0001) surface

Loại tài liệu: Tài liệu số

Thông tin trách nhiệm: Yanjun Ji

Nhà Xuất Bản:

Năm Xuất Bản:

Chia sẻ
(Tải app tại đây để đọc sách)

Tóm tắt

Using density functional theory and ultra-soft pseudopotential method based on first principles calculations, thernadsorption energies, work functions, dipole moments, partial density of states, Mulliken population and chargerndifferential densities of Cs adsorbed Al0.5Ga0.5N(0001) surfaces were calculated at the coverage of 0.25 ML. AfterrnCs adsorption, the charges of Cs atom transfer to the Al and Ga atoms in the first molecular layer of the surface,rnthe surface dipole moments increase, the density of states move to low energy, and the work functions decrease.rnThe electron cloud increased after Cs adsorption, when Cs at BAl site, Ga and Cs form ionic bond, Al and Cs formrncovalent bond. The calculations indicate that the BAl site is the most stable adsorption site.

Ngôn ngữ:en
Thông tin trách nhiệm:Yanjun Ji
Thông tin nhan đề:Electronic structure of Cs adsorption on Al0.5Ga0.5N(0001) surface

(Sử dụng ứng dụng VNU- LIC quét QRCode này để mượn tài liệu)

(Lưu ý: Sử dụng ứng dụng Bookworm để xem đầy đủ tài liệu. Bạn đọc có thể tải Bookworm từ App Store hoặc Google play với từ khóa "VNU LIC”)

  • Chủ đề
TÀI NGUYÊN KHÁC